二极管及三极管电路符号大全

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  1、.二极管及三极管符号大全【图】 二极管符号参数 二极管符号含义 CT-势垒电容Cj-结(极间)电容，表明在二极管两头加规则偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容改变Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测验电流下，安稳电压的相对改变与环境和温度的肯定改变之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流(正向测验电流)。锗检波二极管在规则的正向电压VF下，经过极间的电流；硅整流管。硅堆在规则的运用条件下，在正弦半波中答应接连经过的最大作业电流(均匀值),硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电

  2、流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)-正向均匀电流IFM(IM)-正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流。保持电流。Ii-发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io-整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与榜首基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输

  3、出均匀电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管操控极触发电流IGD-晶闸管操控极不触发电流IGFM-操控极正向峰值电流IR(AV)-反向均匀电流IR(In)-反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规则值时，所经过的电流；硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流；稳压二极管在反向电压下，发生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复均匀电流IDR-晶闸管断态均匀重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp

  4、-反向恢复电流Iz-安稳电压电流(反向测验电流)。测验反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向(整流)电流。在规则条件下，能接受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管答应经过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-作业电流Is-稳流二极管安稳电流f-频率n-电容改变指数；电容比Q-优值(质量要素)vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-接受脉冲焚毁功率PFT(AV)

  5、-正导游通均匀耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正导游通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极均匀功率PGM-门极峰值功率PC-操控极均匀功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能接受的上限功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大接受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-接连输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定运用条件下，稳压二极管答应接受的最大功率RF(r)-正向微分电阻。在正导游通时，电流随电压指数的添加，出现显着的非线性特性。在某一正向电压下，电压增

  6、加微小量V,正向电流相应添加I,则V/I称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)-串联电阻Rth-热阻R(th)ja-结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r-衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境和温度Tc-壳温td-延迟时刻tf-下降时刻tfr-正向恢复时刻tg-电路换向关断时刻tgt-门极操控极注册时刻Tj-结温Tjm-最高结温ton-注册时刻toff-关断时刻tr-上升时刻trr-反向恢复时刻ts-存储时刻tstg-温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数p-发光峰值波长-光谱半宽度-单结晶体管分压比或功率VB-反向峰值击穿

  7、电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与榜首基极反向电压VEB-饱满压降VFM-最大正向压降(正向峰值电压)VF-正向压降(正向直流电压)VF-正向压降差VDRM-断态重复峰值电压VGT-门极触发电压VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VF(AV)-正向均匀电压Vo-沟通输入电压VOM-最大输出均匀电压Vop-作业电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向作业电压(反向直流电压)VRM-反向峰值电压(最高测验电压)V(BR)-击穿电压Vth-阀电压(门限电压)VRRM-反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM-反向作业峰值电压Vv-

  8、谷点电压Vz-安稳电压Vz-稳压规模电压增量Vs-通向电压(信号电压)或稳流管安稳电流电压av-电压温度系数Vk-膝点电压(稳流二极管)VL-极限电压CT-势垒电容Cj-结(极间)电容，表明在二极管两头加规则偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容改变Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测验电流下，安稳电压的相对改变与环境和温度的肯定改变之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流(正向测验电流)。锗检波二极管在规则的正向电压VF下，经过极间的电流；硅整流管。硅堆在规则的运用条件下，在正弦半波中

  9、答应接连经过的最大作业电流(均匀值),硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)-正向均匀电流IFM(IM)-正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流。保持电流。Ii-发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io-整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体

  10、管中发射极与榜首基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出均匀电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管操控极触发电流IGD-晶闸管操控极不触发电流IGFM-操控极正向峰值电流IR(AV)-反向均匀电流IR(In)-反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规则值时，所经过的电流；硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流；稳压二极管在反向电压下，发生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复均匀电流IDR-晶闸管断态平

  11、均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp-反向恢复电流Iz-安稳电压电流(反向测验电流)。测验反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向(整流)电流。在规则条件下，能接受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管答应经过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-作业电流Is-稳流二极管安稳电流f-频率n-电容改变指数；电容比Q-优值(质量要素)vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率;.

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  （2021-2025）5年高考1年模仿物理线 机械能守恒、动量守恒及功用联系（广东专用）（解析版）